Samsung bricht 10-nanometer-grenze in der dram-fertigung

Die Südkoreaner haben einen weiteren Meilenstein in der Entwicklung von DRAM-Chips erreicht: Samsung hat erstmals 10-Nanometer-DRAM-Module produziert. Dieser Durchbruch ermöglicht eine 50-Prozent-großere Datendichte im gleichen physischen Raum.

Samsungs 4f-technologie: wie die welt der speichermedien revolutioniert wird

Der Schlüssel zu diesem Erfolg liegt in einer neuer Architektur, die Samsungs Ingenieure entwickelt haben: die sogenannte 4F-Quadratzelle. In dieser Konstruktion werden die Transistoren und Kapazitäten nicht wie bisher nebeneinander, sondern übereinander angeordnet, was zu einer signifikanten Flächenersparnis führt.

Diese innovative Anordnung ermöglicht es, dass die Elektrizität kürzere Wege zurücklegt, was zu einem besseren Energieverbrauch und einer reduzierten Abwärme bei den Endgeräten führt. Samsung hat bereits erste funktionsfähige Proben dieser neuen 4F-DRAM-Module hergestellt und kontrolliert den Produktionsprozess.

Es wird erwartet, dass diese Technologie binnen eines Jahres in die Massenproduktion eingesetzt wird, wodurch die Kosten für die Herstellung von DRAM-Speichermedien gesenkt werden könnten. Dieser Durchbruch könnte eine weitere Revolution in der Welt der Speichermedien auslösen.